UMI P1 Flip Chip process flow

Milestone

Drawing已經確認完成並且在1/9進行pre-DR meeting, tooling kits基本上都已經到廠內了HBM cube的部分是在P8做,預計會在5月底前會使用ES3 recovery wafer到P11作flip chip封裝

UMI Overall Project Status(標準customer information)

P0從去年12月就有封一些樣品給客戶做測試, FT test pass.不過這只是HBM model
那真正量產的Device會是從P1開始, design 部分是在去年完成的
P2目前還在設計階段

Overall PKG information 的文件資料 其實跟先前是一樣的
P0是之前都是客戶的consign 材料 我們只做一些封裝
P1之後開始都是由P8開始做HBM cube 再送到P11作封裝
SOC部分是客戶提供一片 共用在P0/P1/P2 project上面

這是P0去年12月中做的封裝/樣品數量/封裝和測試的主要流程

收到來料Shinko含interposer的iTHOP SBT裡面的L/S 是2/2線路的 SOC 的bump pitch是45um & HBM2的Bump pitch是55um, 用TCB bonder COS方式bond 這三顆晶片 在用underfill在interposer上面做gap filling 在上stiffner ring在翻轉過來做電容SMT 然後在做ball mount P0 大致上就是這五大流程 主要是在P0的時候主要的關鍵站在HBM &SOC & interposer之間殘留錫部分有沒有joint 用SEM確認成形後bump gap確認是否有在我們的預測範圍內 die gap看起來差不多38um 都很接近設計值 有確認到TCB bump joint 用X-ray確認到chip to interposer bump to pad 的之間 確認是否有偏移的狀況 目前看起來都很正常 沒有問題 能力檢查部分都沒問題

P1 客戶提供兩種Wafer die   & die B 細部流程會在後面詳述
 Die B會在P8先做Backside grinding /wafer mount/ dicing 只做front side mirco bump
而Die A部分一樣在P8的back end 的CoW 當站用TCB mount die B 上去die A 然後在做wafer form molding 然後再進行mold grinding MDG有分Z1 (粗磨)& Z2+Z3(細磨) 由於P8就只有粗磨 所以Z2 & Z3會在P11B作業 做完mold grinding 之後又回到P8做最後一道copper pillar bump 然後在P8做wafer mount & dicing  然後再到P11解ＵＶ後做TCB　在做ＨＢＭ封裝

Die B主要是在front side長bump 然後wafer thinning & wafer dicing 以切完單 M-ring tape方式 一起進backend 的COW

Die A 的話在front side先做RDL 然後在coating PI 然後再長micro bump & copper post 主要是這四大流程  然後會以wafer form 方式shipping 

接下來講封裝部分 會以die A為基底  用TCB bond Die A 到Die B上面 做完chip on wafer 之後 molding 在做mold grinding  然後在做最後一道copper pillar bump 最後HBM cube dicing以tape & reel方式shipping 到P11B 大體上後面封裝跟P0是一樣的

Shinko會把organic interposer mount 在10L ABF SBT 上面 主要是以NCF方式bonding 
line/space:2/2 pad pitch :40um thickness:100um
Process flow 主要是以supporting carrier 去做rigid layer formation 主要是以壓合方式去做rigid layer做carrier 在做chemical /mechanical polishing  在做thin film的formation 在做4層的RDL  coat曝光顯影 4+1 去掉support carrier之後做solder printing 這是錫鉍SnBi 在貼NCF在dicing 當下面的10L ABF 做完  經過封裝流程 bond interposer 在10L ABF SBT 

POD& 卡通圖的對應 用1~6 的示意圖來表示

從P8哪裡得來料使用D185 已經切單好,只要解UV(大概200mJ)就可以在P11pick up die ,一開始先SBT prebake, SBT來料是以unit type 放在tray 盤上面, SBT prebake之後就要轉移到boat 盤進行TCB bond,從flux clean 到tray 之間的作業需要用到standard 的boat 來進行作業, 所以需要有這個流程, 轉換standard boat之後就可以做flux clean, 再prebake, 再上underfill前做plasma 清洗,點完膠之後再做curing 然後AOI,之後在上stiffiner再烤乾,就可以反面做電容SMT, 看完SMT AOI之後就可以做ball mount, 這時候就可以轉到tray盤, PD會提供tray 盤, 再做OS跟AOI

目前只有try to boat & boat to tray 的站點 沒有boat to standard boat的站點
SAP+ES+MES串好   797/798 tray to TCB boat & boat to standard boat 命名站別
需要拉開來 避免混淆 EE&ME確認是否可以新增設備名稱(公安需要審核) 再綁新的站別
5月中三合一的站別需要變更
斗哥&Derek串好 先暫用標準流程先跑 未來會變更

GX料號是客戶consign 料號, ring 先用客戶

電容5S & 5B都會用到
三家tray 都已經到PTI了 到時候會先看看作業性&外觀就會提供給相關人員